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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NVD5806NT4G 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 40V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

内部编号

277-NVD5806NT4G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:2360
1+¥5.4702
10+¥4.2667
100+¥2.7556
1000+¥2.2017
2500+¥1.8599
5000+¥1.7915
10000+¥1.7846
25000+¥1.6752
最小起订量:1
美国加州
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NVD5806NT4G产品详细规格

规格书 NVD5806NT4G datasheet 规格书
NVD5806NT4G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 40V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 33A
Rds(最大)@ ID,VGS 19 mOhm @ 15A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 38nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 860pF @ 25V
功率 - 最大 40W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR)

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